IGBT是絕緣柵雙極型晶體管。IGBT全稱“Insulated Gate Bipolar Transistor”。IGBT是由BJT雙極型三極管和MOS絕緣柵型場效應管組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件。IGBT的特點是高耐壓、導通壓降低、開關速度快、驅動功率小。
GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓爲600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模組是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）透過特定的電路橋接封裝而成的模組化半導體產品；封裝後的IGBT模組直接應用於變頻器、UPS不間斷電源等設備上；
IGBT模組具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點；當前市場上銷售的多爲此類模組化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模組；隨着節能環保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作爲國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
